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它们不称为10纳米。第一个1纳米晶体管的设计超出了物理极限。

发布时间:2019-08-10 录入:365bet手机注册 点击:
今天对普通人来说可能没什么意义,但对于计算机技术来说,这无疑是一个难忘的日子。
据国外媒体报道,劳伦斯伯克利国家实验室的团队打破了物理限制,将更复杂的晶体管工艺从14纳米减少到1纳米。
晶体管工艺的大小是技术进步的难点指标。
晶体管越小,在相同芯片尺寸上的集成度就越高,因此可以显着提高处理器性能和功耗。
多年来,技术发展遵循摩尔定律。这意味着,对于给定的价格,集成电路中可容纳的组件数量每18到24个月翻一番,性能提高一倍。
换句话说,每美元可以购买的计算机的性能每18-24个月翻一番。
目前,我们使用的主要芯片工艺是14纳米,明年,整个行业将开始为10纳米工艺开发。
然而,展望未来,摩尔定律开始失败了一些。这是因为从芯片制造的角度来看,7纳米是物理极限。
如果晶体管的尺寸低于这个数量,它们将非常关注物理形式并且将发生量子隧穿,这将对芯片制造提出重大挑战。
因此,业界普遍认为,为了解决这个问题,必须能够通过现有逻辑门电路的设计继续在不同的逻辑门之间投射电子。
早些时候,像英特尔这样的主要半导体公司曾表示他们会寻找新的材料来取代硅来生产7nm晶体管。现在劳伦斯伯克利国家实验室走在了前面。1nm晶体管由碳纳米管和二硫化钼(MoS 2)制成。
虽然碳纳米管负责控制逻辑门中的电子流动,但MoS2将负责原始半导体。
然而,这项研究才刚刚开始。毕竟,14纳米工艺模具中有超过十亿个晶体管。大规模生产的难度太大,无法将晶体管减小到1纳米。
然而,这项研究仍然具有非常重要的指导方针的重要性。新材料的发现将极大地提高未来计算机的计算能力。